英诺赛科合封氮化镓荣获2024全球电子成就奖
编辑：admin 日期：2024-11-06 17:47:04 / 人气：
英诺赛科是氮化镓行业的领导者，通过AspenCore 全球高级分析师和全球用户的共同评选，英诺赛科自研的 SolidGaN ISG3202LA 产品被授予国际电子成就奖（WEAA）——最佳功率半导体/驱动器。
SolidGaN ISG3202LA
SolidGaN ISG3202LA 是英诺赛科针对 48V 数据中心、48V 汽车电子、马达驱动等应用领域开发的一款高集成度100V 氮化镓半桥合封氮化镓芯片。采用 LGA 5X6.5 封装，内部集成了2颗 100V 氮化镓，1颗半桥驱动器以及若干电容电阻，能够极大地简化系统 BOM，缩小方案尺寸，同时提供高效率，高性能和高功率密度性能。
当前，英诺赛科的 SolidGaN 合封系列产品已覆盖100V和700V电压范围。合封氮化镓能够极大简化系统成本，为多种电源适配器、LED 驱动、马达驱动、太阳能微型逆变器、数据中心及汽车电子领域提供更简化的系统与更高效的性能支持。
全球电子成就奖
旨在评选并表彰为推动全球电子产业发展和创新做出杰出贡献的企业和管理者，彰显其在领域内卓越、领先、突破的形象及取得的卓越成绩，鼓励和推动电子产业的发展，促进全球电子技术的创新和应用。
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